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IXFH 6N120
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Min.
Typ.
Max.
TO-247 AD Outline
g fs
V DS = 20 V; I D = 0.5 I D25 , pulse test
3
5
S
C iss
C oss
V GS = 0 V, V DS = 25 V, f = 1 MHz
1950
175
pF
pF
1
2
3
C rss
t d(on)
60
28
pF
ns
t r
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
33
ns
t d(off)
R G = 4.7 ? (External)
42
ns
Terminals: 1 - Gate
3 - Source
2 - Drain
Tab - Drain
t f
18
ns
Dim.
Millimeter
Inches
Q g(on)
56
nC
Min. Max.
A 4.7 5.3
Min. Max.
.185 .209
A 1
A 2
Q gs
Q gd
V GS = 10 V, V DS = 0.5 V DSS , I D = 0.5 I D25
13
25
nC
nC
2.2 2.54
2.2 2.6
b 1.0 1.4
.087 .102
.059 .098
.040 .055
R thJC
0.42
K/W
b 1
b 2
1.65 2.13
2.87 3.12
.065 .084
.113 .123
R thCK
(TO-247)
0.21
K/W
C .4 .8
D 20.80 21.46
.016 .031
.819 .845
E 15.75 16.26
e 5.20 5.72
L 19.81 20.32
.610 .640
0.205 0.225
.780 .800
Source-Drain Diode
Symbol Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
L1 4.50
? P 3.55 3.65
Q 5.89 6.40
R 4.32 5.49
.177
.140 .144
0.232 0.252
.170 .216
I S
I SM
V SD
t rr
V GS = 0 V
Repetitive
I F = I S , V GS = 0 V,
Pulse test, t ≤ 300 μ s, duty cycle d ≤ 2 %
I F = 6 A, di/dt ≤ 100 A/ μ s
6
24
1.5
300
A
A
V
ns
S 6.15 BSC
242 BSC
Q RM
I RM
0.6
3.0
uC
A
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
IXYS MOSFETs and IGBTs are covered by one or more
4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1
of the following U.S. patents:
4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665
6,534,343
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